7月29日消息，国家知识产权局信息显示，湖北兴福电子材料股份有限公司申请一项名为“一种电子级KOH的多级结晶纯化工艺”的专利，授权公告号CN117865177B，授权公告日为2026年7月28日。申请公布号为CN117865177A，申请号为CN202311681265.8，申请公布日期为2026年7月28日，申请日期为2023年12月6日，发明人彭俊杰、贺兆波、叶瑞、章玲、张庭、欧阳克银、吴昊、王荣、吴文静、李琴，专利代理机构湖北三峡专利代理事务所（普通合伙），专利代理师成钢，分类号C01D1/30。
专利摘要显示，本发明提供了一种电子级KOH的多级结晶纯化工艺，包括以下步骤：以工业级KOH为原料配制适宜浓度的KOH溶液进行一级结晶，将一级结晶的滤液进行二级结晶，最终将一级结晶和二级结晶得到的晶体混合溶解后进行三级结晶，通过离心洗涤过滤后得到超高纯的电子级KOH。本发明得到的KOH的制备工艺可使Na+＜1ppm，其他金属阳离子＜5ppb，0.3μm以下的颗粒＜10pcs/mL。
兴福电子是国内湿电子化学品领域领先企业，核心产品覆盖多品类电子级湿化学品，具备全产业链布局优势。公司成立于2008年11月14日，于2025年1月22日在上海证券交易所上市，注册地与办公地均位于湖北省宜昌市。
公司主营业务为湿电子化学品的研发、生产和销售，核心产品涵盖电子级磷酸、电子级硫酸等通用湿电子化学品，以及蚀刻液、清洗剂、显影液等功能湿电子化学品，所属申万行业为电子-电子化学品Ⅱ-电子化学品Ⅲ，同步布局光刻胶、电子化学品、半导体三大热门概念板块。
2025年，兴福电子实现营业收入14.75亿元，在36家同行业可比公司中排名第20位，低于行业平均19.33亿元、行业中位数15.26亿元，同期行业营收前两位分别为西陇科学73.31亿元、国瓷材料45.83亿元；营收结构中通用湿电子化学品贡献10.93亿元，占比74.13%，功能湿电子化学品贡献2.45亿元，占比16.59%，其余业务板块合计占比9.28%。同年公司实现净利润2.06亿元，行业排名第13/总家数36，高于行业平均数1.8亿元与行业中位数1.25亿元，同期行业净利润前两位分别为鼎龙股份7.96亿元、安集科技7.84亿元。
营收构成项目
营收规模
占总营收比例
通用湿电子化学品
元股证券:ygzq.hk10.93亿元
74.13%
功能湿电子化学品
2.45亿元
16.59%
其他(补充)
北京证券股票配资8673.26万元
5.88%
湿电子化学品回收综合利用业务
3423.29万元
2.32%
代工业务
1567.56万元
1.06%
电子特气
11.75万元
0.01%
湖北兴福电子材料股份有限公司近期专利情况如下：
序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1化学桶倾倒测试与码垛装置以及倾倒测试方法发明专利公布CN202610399547.62026-03-30CN122426560A2026-07-21田广礼、李淳、黄安祥、李坤、谢鹏2一种高纯电子级红磷的制备方法及装置发明专利公布CN202610393047.12026-03-27CN122399729A2026-07-17贺兆波、曾靖淞、万富强、李淳3一种降低半导体显示金属电极关键尺寸损失的蚀刻液及蚀刻方法发明专利公布CN202610382207.22026-03-26CN122405273A2026-07-17管飞、刘丰雨、张演哲、叶瑞、贺兆波4一种不损伤Si衬底的碱性半导体清洗剂发明专利公布CN202610295436.02026-03-11CN122381877A2026-07-14贺兆波、谢建、王亮、李红云、李盛亮5一种对低铟IGZO兼容的AlO碱性蚀刻液发明专利公布CN202610295434.12026-03-11CN122381816A2026-07-14谢建、王亮、李红云、李盛亮、叶瑞6一种PTFE微孔折叠滤芯清洗方法发明专利公布CN202511994651.12025-12-26CN121668812A2026-03-17李少平、郭岚峰、杨着、刘洋、汪泳7低颗粒度蚀刻后清洗剂的生产方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511945055.42025-12-22CN121930926A2026-04-28吴政、王亮、谢建、孟牧麟8一种3DNAND深孔结构蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202511944347.62025-12-22CN121930835A2026-04-28贺兆波、李飞、冯凯、班昌胜9一种抗反射层蚀刻后残留物的清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511944787.12025-12-22CN122121572A2026-05-29贺兆波、吴政、王亮、谢建10一种高纯度氢氧化钾的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511932357.82025-12-19CN121757885A2026-03-31彭俊杰、欧阳克银、吴昊、王荣、王豪11一种半导体先进封装厚型负胶剥膜液及去胶方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511930972.52025-12-19CN121879070A2026-04-17李少平、张演哲、欧阳克银、尉鹏12一种用于功率芯片低成本、高镀速纯钯化学镀液发明专利实质审查的生效、公布CN202511931936.02025-12-19CN121874763A2026-04-17秦祥、叶瑞、王蝶、罗海燕13一种离子交换树脂的干燥工艺和使用方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511931440.32025-12-19CN121869470A2026-04-17李少平、崔俊博、欧阳克银、吴昊、王荣14一种半导体先进封装厚胶剥膜液及去胶方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511930968.92025-12-19CN121879069A2026-04-17张演哲、叶瑞、贺兆波、欧阳克银、尉鹏15一种半导体功率芯片铝基纯钯化学镀液及化学镀方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511931925.22025-12-19CN121874762A2026-04-17李少平、秦祥、贺兆波、王蝶、陈小超16含苯和乙苯的电子级异丙醇废液回收方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202511931950.02025-12-19CN121930071A2026-04-28吴清鹏、刘尚文、杨着、贺兆波、叶瑞17一种基于有机体系的钼蚀刻液及其蚀刻方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511910702.82025-12-17CN121951538A2026-05-01王震、冯凯、贺兆波、钟博文18一种萘酰亚胺类高纯电子级光致产酸剂的提纯方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511911777.82025-12-17CN121949206A2026-05-01焦家龙、周钢翔、吴翔、李文飞19一种通过一锅三步法反应合成有机硅稳定剂的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511901046.52025-12-16CN121851050A2026-04-14王震、冯凯、贺兆波、钟博文20一种炭化树脂中元素含量的检测方法发明专利公布CN202511888861.22025-12-15CN121540696A2026-02-17杨磊、曾远、贺兆波、李琴21一种可兼容多厚度铝/钼叠层蚀刻锥角的蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202511888848.72025-12-15CN121914729A2026-04-24叶瑞、雷康乐、张演哲、钟昌东、李文飞22一种二氧化硅和非晶氧化铟锡选择性蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202511878487.82025-12-12CN121914730A2026-04-24赵哲鹏、冯凯、谭小龙、严凡、叶瑞23一种高纯红磷中痕量杂质检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511868003.12025-12-11CN121762666A2026-03-31曾远、杨磊、陈香蓉、贺兆波24一种高纯电子级硅基前驱体材料微量金属杂质检测前处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511859439.42025-12-10CN121855989A2026-04-14李少平、万富强、杨着、贺兆波25一种检测强酸体系中微量四甲基氢氧化铵的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511859494.32025-12-10CN121856458A2026-04-14谭小龙、贺兆波、冯凯、李飞26一种电子级二乙氧基甲基硅烷中微量水分的检测前处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511859490.52025-12-10CN121933323A2026-04-28万富强、杨着、贺兆波、李锐峰、侯建鑫27一种硅表面清洗剂及其制备方法与应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511849707.42025-12-09CN121930923A2026-04-28杨俊伟、尹印28一种基于Visio的湿电子化学品质量控制系统构建方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511849573.62025-12-09CN121961307A2026-05-01叶瑞、陈柳、欧阳克银、刘兴荣29一种适用于RDL工艺的剥膜液发明专利公布CN202511840165.42025-12-08CN121657383A2026-03-13郑秋曈、钟昌东、高楒羽、张宗萍30一种先进封装用无氰碱性电镀银添加剂的制备方法及其先进封装用银电镀液发明专利实质审查的生效、公布CN202511828947.62025-12-05CN121781231A2026-04-03李少平、付艳梅、秦祥、杨铭、陈小超31先进封装用无氰碱性银电镀液及在电镀银上的应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511828953.12025-12-05CN121802493A2026-04-07李少平、付艳梅、秦祥、杨铭、陈小超32一种有机体系中酸和酸铵含量的近红外检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511829422.42025-12-05CN121954908A2026-05-01李少平、汪凡杰、王亮、谢建33一种低Ge含量的SiGe/Si选择性蚀刻液及其制备方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511820210.X2025-12-04CN121592351A2026-03-03余迪、尹印、马瑞、臧洋、崔会东34一种具有PSPI侧壁保护功能的选择性BOE蚀刻液及其应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511820211.42025-12-04CN121780172A2026-04-03许真、张庭、贺兆波、李金航35一种利用FIB制备TEM样品薄片的交叉减薄方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511810667.22025-12-03CN121703460A2026-03-20黄莉、曾远、徐泽、欧阳克银36一种氮化钛和钨的高选择比蚀刻液及蚀刻方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511801501.42025-12-02CN121852056A2026-04-14钟昌东、贺兆波、徐子豪、张宗萍37一种四羟基四苯乙烯类光引发剂的制备方法及紫外线吸收剂发明专利实质审查的生效、公布CN202511801652.X2025-12-02CN121850908A2026-04-14黄仁兰、张诺诺、周钢翔、吴翔38一种低电阻硅蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202511801693.92025-12-02CN121852057A2026-04-14叶瑞、杨陈宗、尹印、贺兆波39一种高选择性金属蚀刻液及蚀刻方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511801389.42025-12-02CN121852055A2026-04-14叶瑞、钟昌东、曾婷、高楒羽40一种高纯黄磷中痕量杂质的ICP-MS检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511792309.32025-12-01CN121762665A2026-03-31李少平、曾远、贺兆波、李琴、杨磊41一种用于晶圆铝铜基的锌置换配方及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511792514.X2025-12-01CN121802395A2026-04-07王蝶、秦祥、付艳梅、杨铭、罗海燕42一种钨和三氧化钨的等速蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202511792228.32025-12-01CN121802420A2026-04-07钟博文、冯凯、王震、叶瑞43一种连续化合成电子级甲基二乙氧基硅烷及联产氯化氢的装置及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511792510.12025-12-01CN121869237A2026-04-17张刚、万富强、侯建鑫、李锐峰、叶瑞44一种铜钛蚀刻液及其制备方法与应用发明专利公布CN202511782213.92025-11-29CN121653659A2026-03-13张玥、贺兆波、欧阳克银、钟昌东45长蚀刻寿命的缓冲氧化物蚀刻液及应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511782122.52025-11-29CN121736760A2026-03-27李金航、张庭、罗海燕、刘春丽46一种电阻率大于1Ω·cm的硅电极的蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202511782209.22025-11-29CN121736761A2026-03-27杨陈宗、尹印、万杨阳、余迪47一种高蚀刻速率的SiGe/Si蚀刻液及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511782118.92025-11-29CN121736759A2026-03-27马瑞、尹印、余迪、臧洋48一种湿电子化学品用PFA瓶的清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511779494.22025-11-28CN121732518A2026-03-27陈曦、叶瑞、郭岚峰、刘洋、许明杰49一种选择性氮化钛蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202511765268.92025-11-27CN121736756A2026-03-27杨俊伟、尹印、万杨阳、路明50一种IGZO和IGO的选择性蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202511764914.X2025-11-27CN121736757A2026-03-27余建平、尹印、杨俊伟、叶瑞股票均线怎么看
元股证券股票配资提示：本文来自互联网，不代表本网站观点。
